99久久久无码国产免费,亚洲成AV人片在线观看香蕉,日韩av免费在线观看,久久人搡人人玩人妻精品一

存儲(chǔ)芯片下行周期來襲 或?qū)⒊掷m(xù)至2025年

發(fā)布時(shí)間:2022-10-11 17:40:48

據(jù)報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁KimSu-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。

KimSu-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來年三季度DRAM和NAND市場(chǎng)都將出現(xiàn)暫時(shí)反彈,不過需求增速預(yù)期將分別從此前17%、30%下修至10%、19%,其后市場(chǎng)將再度逐步下行,總體規(guī)模萎縮,直至2026年后迎來拐點(diǎn)。

存儲(chǔ)芯片下行周期來襲 或?qū)⒊掷m(xù)至2025年

TechInsights研究員JeongdongChoi在同一活動(dòng)上分享了其對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)的判斷,他指出,三星電子的DRAM技術(shù)之前領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但從2020年1z(15nm級(jí))DRAM開始,三家主要存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司的技術(shù)幾乎達(dá)到同步,“隨著DRAM密度不斷提升的嘗試,2025年將開發(fā)1c(11~12nm)DRAM,2029年左右我們將進(jìn)入個(gè)位數(shù)nm級(jí)DRAM時(shí)代。”

關(guān)于NAND,Choi表示各大廠商正在開發(fā)400-500層堆疊產(chǎn)品,800層堆疊技術(shù)將在8-9年內(nèi)發(fā)展。因此,必須引入先進(jìn)的封裝工藝技術(shù)。

推薦產(chǎn)品

CopyRight © 2021 rocketar.com All Rights Reserved. 深圳市羅吉達(dá)科技有限公司

  • 此站支持多端瀏覽此站支持多端瀏覽