IGBT（insulated gate bipolar transistor），絕緣柵雙極晶體管，由雙極晶體管（BJT）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成，具有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)輸入阻抗高的優(yōu)點(diǎn)晶體管（MOSFET）和巨型晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅(qū)動(dòng)電流大；MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT結(jié)合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小，飽和電壓低。非常適用于直流電壓600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機(jī)、變頻器