4N80-FC data sheet

4A, 800V N-channel power MOSFET

describe

UTC 4N80-FC provides excellent R DS(ON), low gate.

Charging and low gate voltage operation. This device is

Suitable for load switch or PWM application.



Feature 0



* R DS(ON) ≤ 3.7 Ω @ V GS =10V，ID =2.0A

* Low reverse transmission capacitance

* Fast switching ability

* Specified avalanche energy

* Improved dv/dt capability and high durability.