Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) belongs to insulated gate type. Its main feature is that there is a silicon dioxide insulating layer between the metal gate and the channel, so it has a very high input resistance (up to 1015Ω). It is divided into N-channel tube and P-channel tube. Generally, the substrate and the source s are connected together. According to the different conduction modes, MOSFET can be divided into enhancement type and depletion type. The so-called enhancement means that when VGS=0, the pipe is in the cut-off state. After adding the correct VGS, most of the carriers are attracted to the gate, thus "enhancing" the carriers in this region and forming a conductive channel. .
Taking the N-channel as an example, two highly doped source diffusion regions N+ and drain diffusion regions N+ are formed on the P-type silicon substrate, and then the source S and the drain D are led out respectively. The source and the substrate are connected internally, and they always keep the same potential. When the drain is connected to the positive pole of the power supply, the source is connected to the negative pole of the power supply and VGS=0, the channel current (i.e. drain current) ID=0. With the gradual increase of VGS, under the attraction of positive gate voltage, negatively charged minority carriers are induced between the two diffusion regions, forming an N-type channel from the drain to the source. When VGS is greater than the tube conduction voltage VTN (generally about +2V)